Нысаналы технологияның қолданылуы мен принципі туралы кейбір тұтынушылар RSM-ге кеңес берді, енді осы мәселе бойынша техникалық сарапшылар кейбір нақты байланысты біліммен бөліседі.
Sputtering мақсатты қолданбасы:
Зарядтау бөлшектері (мысалы, аргон иондары) қатты бетті бомбалап, атомдар, молекулалар немесе шоғырлар сияқты беттік бөлшектердің «шашу» деп аталатын нысан құбылысының бетінен шығып кетуіне әкеледі. Магнетронды шашыратқыш жабындарда аргонның ионизациясы нәтижесінде пайда болған оң иондар әдетте қатты затты (нысана) бомбалау үшін пайдаланылады, ал шашыраған бейтарап атомдар пленка қабатын қалыптастыру үшін субстратқа (дайындамаға) түседі. Магнетронды шашыратқыш жабынның екі сипаттамасы бар: «төмен температура» және «жылдам».
Магнетронды шашырату принципі:
Шашыраған нысана полюсі (катод) мен анод арасында ортогональды магнит өрісі мен электр өрісі қосылады, ал жоғары вакуумдық камерада қажетті инертті газ (әдетте Ar газы) толтырылады. Тұрақты магнит мақсатты материалдың бетінде 250-350 Гаусс магнит өрісін құрайды және жоғары кернеулі электр өрісімен ортогональды электромагниттік өрісті құрайды.
Электр өрісінің әсерінен Ar газы оң иондар мен электрондарға иондалады және нысанаға белгілі бір теріс жоғары қысым болады, сондықтан нысана полюстен шығарылатын электрондарға магнит өрісі және жұмыстың иондану ықтималдығы әсер етеді. газ көбейеді. Катодтың жанында тығыздығы жоғары плазма түзіледі, ал Ar иондары Лоренц күші әсерінен нысана бетке дейін үдеп, нысана бетін жоғары жылдамдықпен бомбалайды, осылайша нысанадағы шашыраған атомдар нысана бетінен жоғары жылдамдықпен қашып кетеді. кинетикалық энергия және импульсті түрлендіру принципі бойынша пленка қалыптастыру үшін субстратқа ұшып кетеді.
Магнетронды шашырату әдетте екі түрге бөлінеді: тұрақты токтың шашырауы және РЖ шашырауы. Тұрақты токпен тозаңдату жабдығының принципі қарапайым және металды шашырату кезінде жылдамдығы жылдам. РЖ тозаңдатуды қолдану кеңірек, ол өткізгіш материалдарды шашыратумен қатар, сонымен қатар өткізбейтін материалдарды, сонымен қатар оксидтерді, нитридтерді және карбидтерді және басқа да қосылыстарды реактивті шашыратуды дайындауды қамтиды. РЖ жиілігі жоғарыласа, ол микротолқынды плазманың шашырауына айналады. Қазіргі уақытта электронды циклотронды резонансты (ECR) типті микротолқынды плазмалық шашырату жиі қолданылады.
Жіберу уақыты: 01 тамыз 2022 ж