მაღალი ტემპერატურის მდგრადობის, ელექტრონების მიგრაციის მაღალი წინააღმდეგობის და ცეცხლგამძლე ვოლფრამის და ვოლფრამის შენადნობების მაღალი სისუფთავის გამო, ვოლფრამის და ვოლფრამის შენადნობების მაღალი სისუფთავის სამიზნეები ძირითადად გამოიყენება კარიბჭის ელექტროდების, შეერთების გაყვანილობის, დიფუზიური ბარიერის ფენების და ა.შ. ნახევარგამტარების წარმოებისთვის. ინტეგრირებული სქემები და აქვთ მაღალი მოთხოვნები სისუფთავეზე, მინარევების ელემენტის შემცველობაზე, სიმკვრივეზე, მარცვლის ზომა და მასალების მარცვლოვანი სტრუქტურის ერთგვაროვნება. ახლა მოდით შევხედოთ ფაქტორებს, რომლებიც გავლენას ახდენენ მაღალი სისუფთავის ვოლფრამის სამიზნის მომზადებაზე.
1, აგლომერაციის ტემპერატურის ეფექტი
ვოლფრამის სამიზნე ემბრიონის ფორმირების პროცესი ჩვეულებრივ ხდება ცივი იზოსტატიკური დაჭერით. ვოლფრამის მარცვალი გაიზრდება აგლომერაციის პროცესში. ვოლფრამის მარცვლის ზრდა შეავსებს უფსკრული მარცვლის საზღვრებს შორის, რითაც აუმჯობესებს ვოლფრამის სამიზნის სიმკვრივეს. შედუღების დროის მატებასთან ერთად, ვოლფრამის სამიზნე სიმკვრივის ზრდა თანდათან ნელდება. მთავარი მიზეზი ის არის, რომ მრავალჯერადი აგლომერაციის შემდეგ, ვოლფრამის სამიზნის ხარისხი დიდად არ შეცვლილა. იმის გამო, რომ მარცვლის საზღვრებში არსებული სიცარიელეების უმეტესობა ივსება ვოლფრამის კრისტალებით, ყოველი შედუღების შემდეგ, ვოლფრამის სამიზნის საერთო ზომის ცვლილების სიჩქარე ძალიან მცირე იყო, რის შედეგადაც შეზღუდული სივრცეა ვოლფრამის სამიზნის სიმკვრივის გაზრდისთვის. აგლომერაციის პროცესით, მოყვანილი ვოლფრამის მარცვლები ივსება სიცარიელეებში, რის შედეგადაც სამიზნის უფრო მაღალი სიმკვრივეა მცირე ნაწილაკების ზომით.
2, შენარჩუნების დროის ეფექტი
იმავე აგლომერაციის ტემპერატურაზე, ვოლფრამის სამიზნის კომპაქტურობა გაუმჯობესდება აგლომერაციის შენარჩუნების დროის გახანგრძლივებით. შენახვის დროის გახანგრძლივებასთან ერთად, ვოლფრამის მარცვლების ზომა გაიზრდება, ხოლო შენახვის დროის გახანგრძლივებასთან ერთად, მარცვლეულის ზომის ზრდის დრო თანდათან შენელდება, რაც ნიშნავს, რომ შენახვის დროის გაზრდით ასევე შეიძლება გააუმჯობესოს მუშაობის შესრულება. ვოლფრამის სამიზნე.
3, მოძრავი ეფექტი სამიზნე თვისებებზე
ვოლფრამის სამიზნე მასალის სიმკვრივის გასაუმჯობესებლად და ვოლფრამის სამიზნე მასალის დამუშავების სტრუქტურის მისაღებად, ვოლფრამის სამიზნე მასალის საშუალო ტემპერატურის მოძრავი უნდა განხორციელდეს რეკრისტალიზაციის ტემპერატურის ქვემოთ. თუ სამიზნე ბილეტის მოძრავი ტემპერატურა მაღალია, სამიზნე ბილეტის ბოჭკოვანი სტრუქტურა იქნება უხეში და პირიქით. როდესაც თბილი მოძრავი მაჩვენებელი 95%-ზე მეტს აღწევს. მიუხედავად იმისა, რომ აღმოიფხვრება ბოჭკოს სტრუქტურის განსხვავება, რომელიც გამოწვეულია სხვადასხვა ორიგინალური მარცვლებით ან მოძრავი სხვადასხვა ტემპერატურით, სამიზნის შიდა სტრუქტურა ჩამოაყალიბებს შედარებით ერთგვაროვან ბოჭკოვან სტრუქტურას, ასე რომ რაც უფრო მაღალია თბილი მოძრავი დამუშავების სიჩქარე, მით უკეთესი იქნება სამიზნის შესრულება.
გამოქვეყნების დრო: თებერვალი-15-2023