მოლიბდენის სამიზნე მასალის გამოყენების ველი

მოლიბდენი არის მეტალის ელემენტი, რომელიც ძირითადად გამოიყენება რკინისა და ფოლადის მრეწველობაში, რომლის უმეტესი ნაწილი პირდაპირ გამოიყენება ფოლადის წარმოებაში ან თუჯის წარმოებაში სამრეწველო მოლიბდენის ოქსიდის დაჭერის შემდეგ, და მისი მცირე ნაწილი დნება ფერომოლიბდენში და შემდეგ გამოიყენება ფოლადში. მიღების. მას შეუძლია გააძლიეროს შენადნობის სიმტკიცე, სიმტკიცე, შედუღება და სიმტკიცე, მაგრამ ასევე გაზარდოს მისი მაღალი ტემპერატურის სიმტკიცე და კოროზიის წინააღმდეგობა. მაშ, რომელ სფეროებში გამოიყენება მოლიბდენის სამიზნეები? ქვემოთ მოცემულია RSM-ის რედაქტორის წილი.

　　მოლიბდენის სამიზნე მასალის გამოყენება

ელექტრონულ ინდუსტრიაში მოლიბდენის დაფქვის სამიზნე ძირითადად გამოიყენება ბრტყელ ეკრანზე, თხელი ფირის მზის უჯრედის ელექტროდსა და გაყვანილობის მასალასა და ნახევარგამტარული ბარიერის მასალაში. ისინი ეფუძნება მოლიბდენის მაღალ დნობის წერტილს, მაღალ ელექტროგამტარობას, დაბალ სპეციფიკურ წინაღობას, კოროზიის უკეთეს წინააღმდეგობას და კარგ გარემოსდაცვით ეფექტურობას.

მოლიბდენი არის ერთ-ერთი სასურველი მასალა ბრტყელი დისპლეის სამიზნეების დასაშლელად, რადგან მისი უპირატესობებია მხოლოდ 1/2 წინაღობის და ფირის სტრესის ქრომთან შედარებით და გარემოს დაბინძურების გარეშე. გარდა ამისა, LCD კომპონენტებში მოლიბდენის გამოყენებამ შეიძლება მნიშვნელოვნად გააუმჯობესოს LCD– ის მოქმედება სიკაშკაშის, კონტრასტში, ფერსა და სიცოცხლეში.

ბრტყელი პანელის ჩვენების ინდუსტრიაში, მოლიბდენის დაფქვის სამიზნე ერთ-ერთი მთავარი ბაზრის გამოყენებაა TFT-LCD. ბაზრის კვლევა მიუთითებს, რომ მომდევნო რამდენიმე წელი იქნება LCD განვითარების პიკი, წლიური ზრდის ტემპით დაახლოებით 30%. LCD-ის განვითარებასთან ერთად, LCD sputtering სამიზნეების მოხმარება ასევე სწრაფად იზრდება, წლიური ზრდის ტემპით დაახლოებით 20%. 2006 წელს მოლიბდენის სამიზნე მასალაზე გლობალური მოთხოვნა იყო დაახლოებით 700 ტონა, ხოლო 2007 წელს დაახლოებით 900 ტონა.

ბრტყელი პანელის ჩვენების ინდუსტრიის გარდა, ახალი ენერგეტიკული ინდუსტრიის განვითარებასთან ერთად, იზრდება მოლიბდენის დაფრქვევის სამიზნის გამოყენება თხელი ფირის მზის ფოტოელექტრო უჯრედებში. CIGS (Cu indium Gallium Selenium) წვრილი ფირის ბატარეის ელექტროდის ფენა წარმოიქმნება მოლიბდენის სამიზნეზე დაყრით.