Magnetron sputtering coating minangka cara lapisan uap fisik anyar, dibandhingake karo metode lapisan penguapan sing luwih awal, kaluwihan ing pirang-pirang aspek cukup luar biasa. Minangka teknologi diwasa, magnetron sputtering wis Applied ing akeh lapangan.
Prinsip Sputtering Magnetron:
Medan magnet ortogonal lan medan listrik ditambahake ing antarane kutub target sputtered (katoda) lan anoda, lan gas inert sing dibutuhake (biasane gas Ar) diisi ing ruang vakum sing dhuwur. Magnetik permanen mbentuk medan magnet 250-350 gaus ing permukaan materi target, lan medan elektromagnetik ortogonal dumadi karo medan listrik voltase dhuwur. Ing efek saka medan listrik, ionisasi gas Ar dadi ion positif lan elektron, target lan nduweni tekanan negatif tartamtu, saka target saka kutub kanthi efek medan magnet lan kemungkinan ionisasi gas bisa nambah, mbentuk plasma Kapadhetan dhuwur cedhak cathode, Ar ion ing tumindak pasukan lorentz, nyepetake kanggo fly menyang lumahing target, bombarding lumahing target ing kacepetan dhuwur, Atom sputtered ing target tindakake prinsip konversi momentum lan fly adoh saka lumahing target. kanthi energi kinetik dhuwur menyang film deposisi substrat.
Magnetron sputtering umume dipérang dadi rong jinis: DC sputtering lan RF sputtering. Prinsip peralatan DC sputtering prasaja, lan tingkat cepet nalika sputtering logam. Panggunaan sputtering RF luwih ekstensif, saliyane sputtering bahan konduktif, nanging uga sputtering bahan non-konduktif, nanging uga reaktif sputtering preparation saka oksida, nitrida lan karbida lan bahan senyawa liyane. Yen frekuensi RF mundhak, dadi gelombang mikro plasma sputtering. Saiki, sputtering plasma gelombang mikro jinis elektron cyclotron resonance (ECR) umum digunakake.
Bahan target lapisan sputtering Magnetron:
Bahan target sputtering logam, bahan coating sputtering alloy coating, bahan lapisan sputtering keramik, bahan target sputtering keramik boride, bahan target sputtering keramik karbida, bahan target sputtering keramik fluoride, bahan target sputtering keramik nitrida, target keramik oksida, bahan target selenide, sputtering target silicide keramik sputtering bahan target, sulfida bahan target sputtering keramik, Telluride ceramic sputtering target, target keramik liyane, krom-doped silikon oksida target keramik (CR-SiO), target indium phosphide (InP), target arsenide timbal (PbAs), target indium arsenide (InAs).
Wektu kirim: Aug-03-2022