Polysilicon minangka bahan target sputtering sing penting. Nggunakake cara sputtering magnetron kanggo nyiapake SiO2 lan film tipis liyane bisa nggawe materi matriks luwih optik, dielektrik lan resistance karat, kang digunakake digunakake ing layar tutul, optik lan industri liyane.
Proses casting kristal dawa kanggo éling solidification arah saka silikon Cairan saka ngisor menyang ndhuwur mboko sithik kanthi ngontrol suhu mesin ingkang ndamel benter ing lapangan panas saka pawon ingot lan boros panas saka materi jampel termal, lan solidification kacepetan kristal dawa 0.8 ~ 1.2cm / h. Ing wektu sing padha, ing proses solidifikasi arah, efek segregasi unsur logam ing bahan silikon bisa diwujudake, sebagian besar unsur logam bisa diresiki, lan struktur gandum silikon polikristalin sing seragam bisa dibentuk.
Casting polysilicon uga kudu disengaja doped ing proses produksi, supaya ngganti konsentrasi impurities akseptor ing silikon nyawiji. The dopant utama p-jinis cast polysilicon ing industri silikon boron master alloy, kang isi boron kira 0,025%. Jumlah doping ditemtokake dening target resistivitas wafer silikon. Resistivitas optimal yaiku 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, lan konsentrasi boron sing cocog kira-kira 2 × 1014cm-3。 Nanging, koefisien segregasi boron ing silikon yaiku 0,8, sing bakal nuduhake efek segregasi tartamtu ing proses solidifikasi arah, sing yaiku, unsur boron disebarake kanthi gradien ing arah vertikal ingot, lan resistivity mboko sithik mudhun saka ngisor menyang ndhuwur ingot.
Wektu kirim: Jul-26-2022