טכנולוגיית הכנה ויישום של מטרת טונגסטן בטוהר גבוה

בשל יציבות הטמפרטורה הגבוהה, ההתנגדות הגבוהה לנדידת אלקטרונים ומקדם פליטת אלקטרונים גבוה של טונגסטן וסגסוגות טונגסטן עקשן, מטרות טונגסטן וסגסוגת טונגסטן בטוהר גבוה משמשים בעיקר לייצור אלקטרודות שער, חיווט חיבור, שכבות מחסום דיפוזיה וכו' של מוליכים למחצה. מעגלים משולבים, ויש להם דרישות גבוהות לטוהר, תכולת אלמנט הטומאה, צפיפות, גודל גרגר ואחידות מבנה הגרגר של חומרים. עכשיו בואו נסתכל על הגורמים המשפיעים על הכנת יעד טונגסטן בטוהר גבוה.

　　1、 השפעת טמפרטורת סינטר

תהליך היווצרותו של עובר מטרת טונגסטן נעשה בדרך כלל על ידי לחיצה איזוסטטית קרה. גרגר הטונגסטן יגדל במהלך תהליך הסינטר. צמיחת גרגר הטונגסטן תמלא את הפער בין גבולות התבואה, ובכך תשפר את הצפיפות של מטרת הטונגסטן. עם העלייה בזמני הסינטרינג, עליית צפיפות מטרת הטונגסטן מואטת בהדרגה. הסיבה העיקרית היא שאחרי סינטרה מרובה, איכות מטרת הטונגסטן לא השתנתה הרבה. מכיוון שרוב החללים בגבול התבואה מלאים בגבישי טונגסטן, לאחר כל סינטר, קצב שינוי הגודל הכולל של מטרת טונגסטן היה קטן מאוד, וכתוצאה מכך חלל מוגבל לצפיפות מטרת הטונגסטן להגדיל. עם תהליך הסינטרינג, גרגרי הטונגסטן הגדלים מתמלאים לתוך החללים, וכתוצאה מכך צפיפות גבוהה יותר של המטרה עם גודל חלקיקים קטן יותר.

　　2、 השפעת זמן החזקה

באותה טמפרטורת סינטר, הקומפקטיות של מטרת הטונגסטן תשתפר עם הארכת זמן החזקת הסינטר. עם הארכת זמן ההחזקה, גודל גרגירי הטונגסטן יגדל, ועם הארכת זמן ההחזקה, זמני הגדילה של גודל הגרגרים יואטו בהדרגה, מה שאומר שהגדלת זמן ההחזקה יכולה גם לשפר את הביצועים של מטרת טונגסטן.

　　3、 השפעת גלגול על מאפייני היעד

על מנת לשפר את הצפיפות של חומר מטרת טונגסטן ולקבל את מבנה העיבוד של חומר מטרת טונגסטן, יש לבצע גלגול בטמפרטורה בינונית של חומר מטרת טונגסטן מתחת לטמפרטורת ההתגבשות מחדש. אם טמפרטורת הגלגול של בילט המטרה גבוהה, מבנה הסיבים של בילט המטרה יהיה גס, ולהיפך. כאשר קצב הגלגול החם מגיע ליותר מ-95%. למרות שההבדל במבנה הסיבים הנגרם על ידי גרגירים מקוריים שונים או טמפרטורות גלגול שונות יבוטל, המבנה הפנימי של המטרה יהווה מבנה סיבים אחיד יחסית, כך שככל שקצב העיבוד של גלגול חם גבוה יותר, כך הביצועים של המטרה יהיו טובים יותר.