השפעות של מטרות מוליבדן מתכת על LCD של טלפון נייד

כיום, מטלפונים אובילים הפכו לדבר הכרחי ביותר עבור הציבור, ותצוגות טלפונים ניידים הופכות ליותר ויותר יוקרתיות. עיצוב מסך מקיף ועיצוב פוני קטן הם שלב חשוב ביצירת LCD של טלפון נייד. האם אתה יודע מה זה- ציפוי: השתמש בטכנולוגיית התזת מגנטרון כדי לקלף מוליבדן מתכת ממטרה מוליבדן לזכוכית קריסטל נוזלית.כאן בנמוך,מאמר זה ייתן לך הקדמה ספציפית.

לקפיצה, כטכניקה מתקדמת להכנת נתוני סרט דק, יש שני מאפיינים של "מהירות גבוהה" ו"טמפרטורה נמוכה". הוא משתמש ביונים המיוצרים על ידי מקור היונים כדי להאיץ את הצבירה והשילוב של זרימת יונים במהירות גבוהה בוואקום, להפציץ את המשטח המוצק, והיונים מחליפים אנרגיה קינטית עם האטומים על המשטח המוצק, כך שהאטומים על המוצק משטח לעזוב את המטרה ולהפקיד על פני השטח של המצע, ולאחר מכן ליצור סרט ננו (או מיקרון). המוצק המוקלף הוא הנתונים של סרטים דקים שהופקדו על ידי קפיצה, מה שנקרא מטרת קפיצה.

בתעשיית האלקטרוניקה, מטרות לקריסת מוליבדן משמשות בעיקר עבור צגים שטוחים, אלקטרודות וחומרי חיווט של תאים סולאריים בעלי סרט דק, וחומרי מחסום של מוליכים למחצה.

אלה מבוססים על נקודת התכה גבוהה, מוליכות גבוהה, עכבה ספציפית נמוכה, עמידות טובה בפני קורוזיה ותפקוד טוב של הגנת הסביבה של מוליבדן.

בעבר, נתוני החיווט של מסך שטוח היו בעיקר כרום, אבל עם קנה המידה הגדול והדיוק הגבוה של תצוגת פאנל שטוח, יש צורך יותר ויותר בנתונים קטנים מהעכבה. בנוסף, הגנת הסביבה היא גם שיקול הכרחי. למוליבדן יש יתרון שהעכבה הספציפית ומתח הסרט הם רק 1/2 מזה של כרום, ואין שום בעיה של זיהום סביבתי, ולכן הוא הפך לאחד החומרים של מטרת קפיצה לתצוגה שטוחה.

בנוסף, השימוש במוליבדן ברכיבי LCD יכול לשפר מאוד את הפונקציות של LCD בבהירות, ניגודיות, צבע וחיי שירות. TFT-LCD הוא אחד מהיישומים החשובים ביותר של מטרת קפיצת מוליבדן בתעשיית הצג השטוח.

מחקרי שוק מראים כי השנים הקרובות יהיו שיא פיתוח ה-LCD, עם קצב צמיחה שנתי של כ-30%. עם התפתחות ה-LCD, גם מטרת הצריכה של מקרטעת LCD צומחת במהירות, עם קצב גידול שנתי של כ-20%.

בנוסף למקצוע התצוגה השטוחה, עם התפתחותו של מקצוע האנרגיה החדש, היישום של מטרת קפיצת מוליבדן בתאים פוטו-וולטאיים סולאריים בעלי סרט דק הולך וגדל.

מטרת הקזת המוליבדן ניתנת בעיקר ליצירת שכבת האלקטרודה של סוללת סרט דק של CIGS (נחושת אינדיום גליום סלניום). מו נמצא בתחתית התא הסולארי. כמגע האחורי של התא הסולארי, הוא ממלא תפקיד חשוב מאוד בגרעין, צמיחה ותיאור של גבישי סרט דק CIGS.