דרישות אופייניות של מטרת קפיצת מוליבדן

לאחרונה, חברים רבים שאלו על המאפיינים של מטרות מקרטעת מוליבדן. בתעשייה האלקטרונית, על מנת לשפר את יעילות הקפיצה ולהבטיח את איכות הסרטים המופקדים, מהן הדרישות למאפיינים של מטרות הקזת מוליבדן? כעת המומחים הטכניים של RSM יסבירו לנו זאת.

　　1. טוהר

טוהר גבוה הוא דרישה אופיינית בסיסית של מטרת קפיצת מוליבדן. ככל שהטוהר של מטרת מוליבדן גבוהה יותר, כך הביצועים של הסרט המקרטע טובים יותר. בדרך כלל, הטוהר של מטרת הקזת מוליבדן צריכה להיות לפחות 99.95% (חלק מסה, זהה להלן). עם זאת, עם השיפור המתמיד של גודל מצע הזכוכית בתעשיית ה-LCD, נדרש להאריך את אורך החיווט ורוחב הקו נדרש להיות דק יותר. על מנת להבטיח את אחידות הסרט ואיכות החיווט, נדרש גם להגביר את טוהר מטרת הקזת המוליבדן בהתאם. לכן, על פי גודל מצע הזכוכית המקרטעת וסביבת השימוש, הטוהר של מטרת הקזת מוליבדן נדרשת להיות 99.99% - 99.999% או אפילו יותר.

מטרת הקזת מוליבדן משמשת כמקור קתודה בקילוח. זיהומים במוצק וחמצן ואדי מים בנקבוביות הם מקורות הזיהום העיקריים של סרטים שהופקדו. בנוסף, בתעשייה האלקטרונית, מכיוון שקל ליונים מתכת אלקליים (Na, K) להפוך ליונים ניידים בשכבת הבידוד, הביצועים של המכשיר המקורי מופחתים; יסודות כמו אורניום (U) וטיטניום (TI) ישוחררו בקרני רנטגן α, וכתוצאה מכך התמוטטות רכה של התקנים; יוני ברזל וניקל יגרמו לדליפת ממשק ולהגדלת יסודות החמצן. לכן, בתהליך ההכנה של מטרת קפיצת מוליבדן, יש לשלוט בקפדנות על יסודות הטומאה הללו כדי למזער את התוכן שלהם במטרה.

　　2. גודל גרגר ופיזור גודל

בדרך כלל, מטרת הקזת המוליבדן היא מבנה רב-גבישי, וגודל הגרגירים יכול לנוע בין מיקרון למילימטר. תוצאות הניסוי מראות שקצב הקפיצה של מטרת גרגרים עדינים מהיר יותר מזה של יעד גרגר גס; עבור היעד עם הבדל קטן בגודל גרגר, התפלגות העובי של הסרט המופקד היא גם אחידה יותר.

　　3. אוריינטציה קריסטלית

מכיוון שקל לקלף את אטומי המטרה בצורה מועדפת לאורך כיוון הסידור הקרוב ביותר של האטומים בכיוון המשושה במהלך הקפיצה, על מנת להשיג את קצב הקפיצה הגבוה ביותר, קצב הקיזוז מוגדל לרוב על ידי שינוי מבנה הגביש של המטרה. לכיוון הגבישי של המטרה יש גם השפעה רבה על אחידות העובי של הסרט המקרטע. לכן, חשוב מאוד להשיג מבנה מטרה מסוים בכיוון גביש לתהליך הקפיצה של הסרט.

　　4. ציפוף

בתהליך של ציפוי מקרטעת, כאשר מופגזת מטרת המקרטעת בצפיפות נמוכה, משתחרר לפתע הגז הקיים בנקבוביות הפנימיות של המטרה, וכתוצאה מכך התזת חלקיקי מטרה או חלקיקים בגודל גדול, או שחומר הסרט מופגז. על ידי אלקטרונים משניים לאחר היווצרות הסרט, וכתוצאה מכך התזת חלקיקים. המראה של חלקיקים אלה יפחית את איכות הסרט. על מנת להקטין את הנקבוביות במוצק המטרה ולשפר את ביצועי הסרט, מטרת הקפיצה נדרשת בדרך כלל להיות בעלת צפיפות גבוהה. עבור היעד לקרטוט מוליבדן, הצפיפות היחסית שלו צריכה להיות יותר מ-98%.

　　5. כריכת מטרה ושלדה

בדרך כלל, יש לחבר את מטרת הקזת המוליבדן לשלדת הנחושת (או אלומיניום וחומרים אחרים) נטולת החמצן לפני הקפיצה, כך שהמוליכות התרמית של המטרה ושל המארז תהיה טובה במהלך תהליך הקפיצה. לאחר הכריכה, יש לבצע בדיקה קולית על מנת לוודא ששטח אי ההדבקה של השניים הוא פחות מ-2%, כדי לעמוד בדרישות של קפיצה בעוצמה גבוהה מבלי ליפול.