La fotonica basata sul silicio è attualmente considerata la piattaforma fotonica di prossima generazione per le comunicazioni integrate. Tuttavia, lo sviluppo di modulatori ottici compatti e a bassa potenza rimane una sfida. Qui riportiamo un gigantesco effetto elettro-ottico nei pozzi quantici accoppiati Ge/SiGe. Questo effetto promettente si basa sull’effetto Stark quantistico anomalo dovuto al confinamento separato di elettroni e lacune in pozzi quantici accoppiati Ge/SiGe. Questo fenomeno può essere utilizzato per migliorare significativamente le prestazioni dei modulatori di luce rispetto agli approcci standard sviluppati finora nella fotonica del silicio. Abbiamo misurato cambiamenti nell'indice di rifrazione fino a 2,3 × 10-3 con una tensione di polarizzazione di 1,5 V con una corrispondente efficienza di modulazione VπLπ di 0,046 Vcm. Questa dimostrazione apre la strada allo sviluppo di efficienti modulatori di fase ad alta velocità basati su sistemi di materiali Ge/SiGe.
Orario di pubblicazione: 06-giu-2023