Ljóseindafræði sem byggir á kísil er nú talin næsta kynslóð ljóseindakerfis fyrir innbyggð samskipti. Samt sem áður er þróun þéttra og lágstyrks ljósmótara enn áskorun. Hér greinum við frá risastórum rafsjónrænum áhrifum í Ge/SiGe tengdum skammtabrunni. Þessi efnilegu áhrif eru byggð á afbrigðilegu skammtafræðilegu Stark áhrifunum vegna aðskildrar innilokunar rafeinda og hola í tengdum Ge/SiGe skammtabrunni. Þetta fyrirbæri er hægt að nota til að bæta verulega frammistöðu ljósmótara samanborið við staðlaðar aðferðir sem þróaðar hafa verið hingað til í kísilljóseindafræði. Við höfum mælt breytingar á brotstuðul upp að 2,3 × 10-3 við 1,5 V forspennu með samsvarandi mótunarnýtni VπLπ upp á 0,046 Vcm. Þessi sýning ryður brautina fyrir þróun skilvirkra háhraða fasamótara sem byggjast á Ge/SiGe efniskerfum.
Pósttími: Júní-06-2023