Pelapisan sputtering Magnetron adalah metode pelapisan uap fisik baru, dibandingkan dengan metode pelapisan evaporasi sebelumnya, keunggulannya dalam banyak aspek cukup luar biasa. Sebagai teknologi yang matang, sputtering magnetron telah diterapkan di banyak bidang.
Prinsip sputtering magnetron:
Medan magnet ortogonal dan medan listrik ditambahkan antara kutub target (katoda) dan anoda yang tergagap, dan gas inert yang diperlukan (biasanya gas Ar) diisi ke dalam ruang vakum tinggi. Magnet permanen membentuk medan magnet 250-350 gaus pada permukaan bahan target, dan medan elektromagnetik ortogonal tersusun dari medan listrik tegangan tinggi. Di bawah pengaruh medan listrik, ionisasi gas Ar menjadi ion dan elektron positif, target dan memiliki tekanan negatif tertentu, dari target dari kutub oleh pengaruh medan magnet dan kemungkinan ionisasi gas kerja meningkat, membentuk plasma kepadatan tinggi di dekat katoda, ion Ar di bawah aksi gaya lorentz, mempercepat terbang ke permukaan target, membombardir permukaan target dengan kecepatan tinggi, Atom-atom yang tergagap pada target mengikuti prinsip konversi momentum dan terbang menjauh dari permukaan target dengan kinetik tinggi energi ke film deposisi substrat.
Sputtering magnetron umumnya dibagi menjadi dua jenis: sputtering DC dan sputtering RF. Prinsip peralatan sputtering DC sederhana, dan kecepatannya cepat saat melakukan sputtering logam. Penggunaan sputtering RF lebih luas, selain sputtering bahan konduktif, tetapi juga sputtering bahan non-konduktif, tetapi juga sputtering reaktif oksida, nitrida dan karbida serta bahan senyawa lainnya. Jika frekuensi RF meningkat, maka akan terjadi sputtering plasma gelombang mikro. Saat ini, sputtering plasma gelombang mikro tipe resonansi siklotron elektron (ECR) umum digunakan.
Bahan target lapisan sputtering magnetron:
Bahan sasaran sputtering logam, bahan pelapis sputtering paduan pelapis, bahan pelapis sputtering keramik, bahan sasaran sputtering keramik borida, bahan sasaran sputtering keramik karbida, bahan sasaran sputtering keramik fluorida, bahan sasaran sputtering keramik nitrida, sasaran keramik oksida, bahan sasaran sputtering keramik selenide, bahan target sputtering keramik silisida, bahan target sputtering keramik sulfida, target sputtering keramik Telluride, target keramik lainnya, target keramik silikon oksida yang didoping kromium (CR-SiO), target indium fosfida (InP), target arsenida timbal (PbAs), target indium arsenida (InAs).
Waktu posting: 03 Agustus-2022