Վակուումային ծածկույթը վերաբերում է գոլորշիացման աղբյուրի տաքացմանն ու գոլորշիացմանը վակուումում կամ ցրման միջոցով արագացված իոնային ռմբակոծմամբ և այն նստեցնելով ենթաշերտի մակերեսին՝ միաշերտ կամ բազմաշերտ թաղանթ ձևավորելու համար: Ո՞րն է վակուումային ծածկույթի սկզբունքը: Հաջորդիվ RSM-ի խմբագիրը մեզ կներկայացնի այն։
1. Վակուումային գոլորշիացման ծածկույթ
Գոլորշիացման ծածկույթը պահանջում է, որ գոլորշիների մոլեկուլների կամ ատոմների միջև հեռավորությունը գոլորշիացման աղբյուրից և երեսպատման ենթակա ենթաշերտի միջև պետք է լինի ավելի փոքր, քան մնացորդային գազի մոլեկուլների միջին ազատ ուղին ծածկույթի սենյակում, որպեսզի ապահովվի, որ գոլորշիների մոլեկուլները գոլորշիացումը կարող է հասնել հիմքի մակերեսին առանց բախման: Համոզվեք, որ թաղանթը մաքուր է և ամուր, և գոլորշիացումը չի օքսիդանա:
2. Վակուումային ցողման ծածկույթ
Վակուումում, երբ արագացված իոնները բախվում են պինդ նյութի հետ, մի կողմից՝ բյուրեղը վնասվում է, մյուս կողմից՝ բախվում են բյուրեղը կազմող ատոմներին և վերջապես պինդ նյութի մակերեսի ատոմներին կամ մոլեկուլներին։ ցցվել դեպի դուրս. Սփրթած նյութը ծածկվում է հիմքի վրա՝ ձևավորելով բարակ թաղանթ, որը կոչվում է վակուումային ցրված ծածկույթ։ Գոյություն ունեն ցողման բազմաթիվ մեթոդներ, որոնցից ամենահինն է դիոդային ցրման եղանակը: Ըստ կաթոդի տարբեր թիրախների՝ այն կարելի է բաժանել ուղիղ հոսանքի (DC) և բարձր հաճախականության (RF): Թիրախային մակերևույթի վրա իոնով ազդելու արդյունքում ցրված ատոմների թիվը կոչվում է ցրման արագություն: Բարձր ցողման արագությամբ ֆիլմի ձևավորման արագությունը արագ է: Թրթռման արագությունը կապված է իոնների էներգիայի և տեսակի և թիրախային նյութի տեսակի հետ: Ընդհանուր առմամբ, մարդու իոնների էներգիայի ավելացման հետ մեկտեղ ցողման արագությունը մեծանում է, իսկ թանկարժեք մետաղների ցողման արագությունը ավելի բարձր է։
Հրապարակման ժամանակը` Հուլիս-14-2022