Nou dwe trè abitye ak sib la kounye a, kounye a mache sib la ap ogmante tou, sa ki annapre yo se sa ki pèfòmans prensipal nan sib sputtering pataje pa editè ki soti nan RSM.
Pite a
Pite nan materyèl sib se youn nan endis pèfòmans prensipal yo, paske pite nan materyèl sib gen yon gwo enfliyans sou pèfòmans nan fim mens. Sepandan, nan aplikasyon pratik, kondisyon yo pite nan materyèl sib yo pa menm bagay la. Pou egzanp, ak devlopman rapid nan endistri a mikwo-elektwonik, gwosè a chip Silisyòm yo te devlope soti nan 6 ", 8" a 12 ", ak lajè a fil elektrik te redwi soti nan 0.5um a 0.25um, 0.18um oswa menm 0.13um. Précédemment, pite a nan 99.995% materyèl sib ka satisfè kondisyon yo ki nan pwosesis nan 0.35umIC. Pite a nan materyèl la sib se 99.999% oswa menm 99.9999% pou preparasyon an nan liy 0.18um.
Kontni enpurte
Enpurte yo nan solid sib la ak oksijèn ak vapè dlo nan porositë yo se sous polisyon prensipal yo nan depo fim. Materyèl sib pou diferan rezon gen diferan kondisyon pou diferan kontni enpurte. Pou egzanp, pi bon kalite aliminyòm ak sib alyaj aliminyòm yo itilize nan endistri semi-conducteurs gen kondisyon espesyal pou kontni an nan metal alkali ak eleman radyo-aktif.
Dansite a
Yo nan lòd yo diminye porosite nan solid la sib ak amelyore pèfòmans nan fim nan sputtering, segondè dansite nan sib la anjeneral obligatwa. Dansite sib la afekte pa sèlman to sputtering, men tou pwopriyete elektrik ak optik fim nan. Pi wo dansite sib la, se pi bon pèfòmans fim nan. Anplis de sa, ogmante dansite a ak fòs nan sib la fè sib la pi byen kenbe tèt ak estrès la tèmik nan pwosesis la sputtering. Dansite se tou youn nan endèks pèfòmans kle nan sib.
Gwosè grenn ak distribisyon gwosè grenn
Objektif la anjeneral polikristalin ak gwosè grenn ki sòti nan mikromèt ak milimèt. Pou menm sib la, pousantaj sputtering nan sib la ak ti grenn se pi vit pase sa yo ki nan sib la ak grenn gwo. Distribisyon epesè fim yo depoze pa sib sputtering ak pi piti diferans gwosè grenn (distribisyon inifòm) se pi inifòm.
Lè poste: 04-aout 2022