Le déanaí, d'iarr go leor cairde faoi shaintréithe spriocanna sputtering moluibdín. Sa tionscal leictreonach, d'fhonn an éifeachtúlacht sputtering a fheabhsú agus cáilíocht na scannán taiscthe a chinntiú, cad iad na ceanglais maidir le saintréithe spriocanna sputtering moluibdín? Anois míneoidh na saineolaithe teicniúla ó RSM dúinn é.
1. Íonachta
Tá ard-íonacht ina riachtanas bunúsach tréith de sprioc sputtering moluibdín. Dá airde an íonacht an sprioc moluibdín, is amhlaidh is fearr ar fheidhmíocht scannán sputtered. Go ginearálta, ba cheart go mbeadh íonacht an sprioc sputtering moluibdín ar a laghad 99.95% (codán maise, mar an gcéanna thíos). Mar sin féin, le feabhas leanúnach ar mhéid an tsubstráit ghloine sa tionscal LCD, is gá fad an tsreangaithe a leathnú agus an líneáil a bheith níos tanaí. D'fhonn aonfhoirmeacht an scannáin agus cáilíocht na sreangaithe a áirithiú, is gá freisin íonacht an sprioc sputtering moluibdín a mhéadú dá réir sin. Dá bhrí sin, de réir mhéid an tsubstráit ghloine sputtered agus an timpeallacht úsáide, is gá go mbeadh íonacht an sprioc sputtering moluibdín 99.99% - 99.999% nó fiú níos airde.
Úsáidtear sprioc sputtering moluibdín mar fhoinse catóide i sputtering. Is iad neamhíonachtaí soladacha agus ocsaigine agus gal uisce i bpiocháin na príomhfhoinsí truaillithe i scannáin thaisce. Ina theannta sin, sa tionscal leictreonach, toisc go bhfuil ions miotail alcaile (Na, K) éasca le bheith ina n-ian soghluaiste sa chiseal inslithe, laghdaítear feidhmíocht na feiste bunaidh; Scaoilfear eilimintí cosúil le úráiniam (U) agus tíotáiniam (TI) α X-gha, rud a fhágann go mbeidh miondealú bog ar fheistí; Cuirfidh iain iarainn agus nicil faoi deara sceitheadh comhéadan agus méadú ar eilimintí ocsaigine. Dá bhrí sin, sa phróiseas ullmhúcháin de sprioc sputtering moluibdín, is gá na heilimintí eisíontais seo a rialú go docht chun a n-ábhar sa sprioc a íoslaghdú.
2. Méid gráin agus dáileadh méid
Go ginearálta, is é an sprioc sputtering moluibdín struchtúr polycrystalline, agus is féidir leis an méid gráin raon ó miocrón go milliméadar. Léiríonn na torthaí turgnamhacha go bhfuil an ráta sputtering de sprioc grán mín níos tapúla ná an sprioc grán garbh; Maidir leis an sprioc le difríocht mhéid gráin beag, tá dáileadh tiús an scannáin taiscthe níos comhionann freisin.
3. Treoshuíomh criostail
Toisc go bhfuil sé éasca na sprioc-adamh a sputtering go fabhrach feadh treo an tsocraithe is gaire d'adamh sa treo heicseagánach le linn sputtering, chun an ráta sputtering is airde a bhaint amach, is minic a mhéadaítear an ráta sputtering trí struchtúr criostail an sprioc a athrú. Tá tionchar mór ag treo criostail an sprioc freisin ar aonfhoirmeacht tiús an scannáin sputtered. Dá bhrí sin, tá sé an-tábhachtach struchtúr spriocdhírithe criostail áirithe a fháil le haghaidh próiseas sputtering an scannáin.
4. Dlúsú
Sa phróiseas sciath sputtering, nuair a bhíonn an sprioc sputtering le dlús íseal bombarded, scaoiltear an gás atá ann cheana féin i bpiocháin inmheánacha an sprioc go tobann, agus mar thoradh air sin splancscáileán sprioc-cháithníní nó cáithníní móra, nó déantar an t-ábhar scannáin a thumadh. ag leictreoin tánaisteacha tar éis foirmiú scannáin, rud a fhágann go bhfuil splancadh cáithníní ann. Laghdóidh cuma na gcáithníní seo cáilíocht an scannáin. D'fhonn na pores sa sprioc soladach a laghdú agus feidhmíocht an scannáin a fheabhsú, is gá go ginearálta go mbeadh dlús ard ag an sprioc sputtering. Maidir leis an sprioc sputtering moluibdín, ba cheart go mbeadh a dlús coibhneasta níos mó ná 98%.
5. Sprioc agus fonnadh a cheangal
Go ginearálta, ní mór an sprioc sputtering moluibdín a nascadh leis an bhfonnadh copair saor ó ocsaigine (nó alúmanam agus ábhair eile) roimh sputtering, ionas go mbeidh seoltacht theirmeach an sprioc agus an chassis go maith le linn an phróisis sputtering. Tar éis ceangailteach, ní mór iniúchadh ultrasonaic a dhéanamh chun a chinntiú go bhfuil an limistéar neamhnasctha den dá cheann níos lú ná 2%, ionas go gcomhlíonfar riachtanais sputtering ard-chumhachta gan titim amach.
Am postála: Iúil-19-2022