Wolfram silicide stikken
Wolfram silicide stikken
Wolfram silicide WSi2 wurdt brûkt as in elektryske skok materiaal yn mikro-elektroanika, shunting op polysilicon triedden, anty-oksidaasje coating en ferset tried coating. Wolfram silicide wurdt brûkt as kontaktmateriaal yn mikroelektronika, mei in resistiviteit fan 60-80μΩcm. It wurdt foarme by 1000 ° C. It wurdt normaal brûkt as shunt foar polysiliciumlinen om har konduktiviteit te ferheegjen en sinjaalsnelheid te ferheegjen. De wolfraam Silicide laach kin wurde taret troch gemyske damp deposition, lykas damp deposition. Brûk monosilane of dichlorosilane en wolfraam hexafluoride as grûnstofgas. De dellein film is net-stoichiometrysk en fereasket annealing wurde omfoarme ta in mear conductive stoichiometryske foarm.
Tungsten silicide kin ferfange de eardere wolfraam film. Tungsten silicide wurdt ek brûkt as in barriêre laach tusken silisium en oare metalen.
Tungsten silicide is ek tige weardefol yn mikroelectromechanical systemen, wêrûnder wolfraam silicide wurdt benammen brûkt as in tinne film foar it meitsjen fan mikrocircuits. Foar dit doel kin de wolfraam silicide film plasma-etste wurde mei bygelyks silicide.
| ÛNDERDIEL | Gemyske gearstalling | |||||
| Elemint | W | C | P | Fe | S | Si |
| Ynhâld (wt%) | 76.22 | 0.01 | 0.001 | 0.12 | 0.004 | Lykwicht |
Rich Special Materials is spesjalisearre yn 'e fabrikaazje fan Sputtering Target en koe wolfraam silicide produsearjestikkenneffens Customers 'spesifikaasjes. Foar mear ynformaasje, nim dan kontakt mei ús op.
