Kohteella on laajat markkinat, sovellusalue ja laaja kehitys tulevaisuudessa. Jotta saat paremman käsityksen kohteen toiminnoista, tässä alla RSM-insinööri esittelee lyhyesti kohteen tärkeimmät toiminnalliset vaatimukset.
Puhtaus: puhtaus on yksi kohteen tärkeimmistä toiminnallisista indikaattoreista, koska kohteen puhtaudella on suuri vaikutus kalvon toimintaan. Käytännössä kohteen puhtausvaatimukset ovat kuitenkin myös erilaisia. Esimerkiksi mikroelektroniikkateollisuuden nopean kehityksen myötä piikiekkojen koko kasvaa 6 "8":sta 12:een ja johdotuksen leveys pienenee 0,5 um:sta 0,25 um:iin, 0,18 um:iin tai jopa 0,13 um:iin. Aikaisemmin 99,995 % tavoitepuhtaudesta voi täyttää prosessivaatimukset 0,35 um, kun taas 0,18 um linjojen valmistus vaatii 99,999 % tai jopa 99,9999 % tavoitepuhtaudesta.
Epäpuhtauspitoisuus: Kiinteiden kohdeaineiden epäpuhtaudet sekä huokosten happi ja vesihöyry ovat kerrostuneiden kalvojen pääasiallisia saastelähteitä. Eri tarkoituksiin tarkoitetuilla kohteilla on erilaiset vaatimukset eri epäpuhtauspitoisuuksille. Esimerkiksi puolijohdeteollisuudessa käytettävillä puhtailla alumiini- ja alumiiniseoskohteilla on erityisvaatimukset alkalimetallipitoisuudelle ja radioaktiivisten alkuaineiden pitoisuudelle.
Tiheys: kohdekiintoaineen huokosten pienentämiseksi ja sputterointikalvon toiminnan parantamiseksi kohteella on yleensä oltava korkea tiheys. Kohteen tiheys ei vaikuta vain sputterointinopeuteen, vaan se vaikuttaa myös kalvon sähköisiin ja optisiin toimintoihin. Mitä suurempi tavoitetiheys on, sitä paremmin kalvo toimii. Lisäksi kohteen tiheyttä ja lujuutta parannetaan, jotta kohde pystyy paremmin vastaanottamaan sputterointiprosessin lämpöjännityksen. Tiheys on myös yksi kohteen tärkeimmistä toiminnallisista indikaattoreista.
Postitusaika: 20.5.2022