مواد هدف sputter چیست؟

پوشش کندوپاش مگنترون یک روش پوشش فیزیکی بخار فیزیکی جدید است، در مقایسه با روش پوشش تبخیر قبلی، مزایای آن از بسیاری جهات کاملاً قابل توجه است. به عنوان یک فناوری بالغ، کندوپاش مگنترون در بسیاری از زمینه ها استفاده شده است.

　　اصل کندوپاش مگنترون:

یک میدان مغناطیسی متعامد و میدان الکتریکی بین قطب هدف پراکنده شده (کاتد) و آند اضافه می شود و گاز بی اثر مورد نیاز (معمولا گاز Ar) در محفظه خلاء بالا پر می شود. آهنربای دائمی میدان مغناطیسی 250-350 گاوس را روی سطح ماده هدف تشکیل می دهد و میدان الکترومغناطیسی متعامد با میدان الکتریکی ولتاژ بالا تشکیل شده است. تحت تأثیر میدان الکتریکی، یونیزه شدن گاز Ar به یون‌ها و الکترون‌های مثبت، هدف قرار می‌گیرد و فشار منفی خاصی دارد، از هدف از قطب با اثر میدان مغناطیسی و افزایش احتمال یونیزاسیون گاز کار، پلاسما با چگالی بالا در نزدیکی کاتد، یون Ar تحت اثر نیروی لورنتس، افزایش سرعت برای پرواز به سطح هدف، بمباران سطح هدف با سرعت بالا، اتم های پراکنده شده روی هدف از اصل تکانه پیروی می کنند. تبدیل شده و از سطح هدف با انرژی جنبشی بالا به لایه رسوب بستر پرواز می کند.

کندوپاش مگنترونی به طور کلی به دو نوع تقسیم می شود: کندوپاش DC و کندوپاش RF. اصل تجهیزات کندوپاش DC ساده است و در هنگام کندوپاش فلز سرعت آن سریع است. استفاده از کندوپاش RF گسترده تر است، علاوه بر کندوپاش مواد رسانا، اما همچنین کندوپاش مواد غیر رسانا، اما همچنین آماده سازی کندوپاش واکنشی اکسیدها، نیتریدها و کاربیدها و سایر مواد ترکیبی است. اگر فرکانس RF افزایش یابد، تبدیل به کندوپاش پلاسما مایکروویو می شود. در حال حاضر، رزونانس سیکلوترون الکترون (ECR) از نوع کندوپاش پلاسما مایکروویو معمولا استفاده می شود.

　　مواد هدف پوشش کندوپاش مغناطیسی:

مواد هدف کندوپاش فلز، مواد پوشش کندوپاش آلیاژ پوشش، مواد پوشش کندوپاش سرامیکی، مواد هدف کندوپاش سرامیکی بورید، مواد هدف کندوپاش سرامیکی کاربید، مواد هدف کندوپاش سرامیکی فلوراید، مواد هدف کندوپاش سرامیکی نیترید، مواد هدف سمپاشی سرامیکی، اکسید سرامیک هدف، سرامیک هدف سرامیک سیلیسید مواد هدف کندوپاش سرامیکی، مواد هدف کندوپاش سرامیکی سولفید، هدف کندوپاش سرامیکی تلوراید، هدف سرامیکی دیگر، هدف سرامیکی اکسید سیلیکون آغشته به کروم (CR-SiO)، هدف فسفید ایندیم (InP)، هدف آرسنید سرب (PbAs)، هدف آرسنید ایندیوم (InAs).