Capa de Pvd de la película fina de la pureza elevada de la blanco de la farfulla del NiV por encargo
Níquel Vanadio
Descripción del objetivo de pulverización catódica de níquel vanadio
El oro se aplica a menudo en la deposición de capas de circuitos integrados, pero a menudo se forma un compuesto AuSi de bajo punto de fusión si el oro se combina con silicio, lo que provocaría holgura entre las diferentes capas. El níquel puro es una buena opción para la capa adhesiva, mientras que también se requiere una capa de barrera entre la capa de níquel y oro para evitar la proliferación. El vanadio podría satisfacer perfectamente este requisito con un alto punto de fusión y una capacidad de soportar una alta densidad de amperios. Por tanto, el níquel, el vanadio y el oro son tres materiales habitualmente aplicados en la industria de circuitos integrados. El objetivo de pulverización catódica de níquel vanadio se fabrica agregando vanadio al níquel fundido. Con bajo ferromagnetismo, es una buena opción para la pulverización catódica con magnetrón de productos electrónicos, que podrían producir una capa de níquel y una capa de vanadio al mismo tiempo.
Ni-7V% en peso Contenido de impurezas
Pureza | Componente principal(% en peso) | Productos químicos impurezas(≤ppm) | Impureza en total(≤ppm) | ||||||
V | Fe | Al | Si | C | N | O | S | ||
99,99 | 7±0,5 | 20 | 30 | 20 | 100 | 30 | 100 | 20 | 100 |
99,95 | 7±0,5 | 200 | 200 | 200 | 100 | 100 | 200 | 50 | 500 |
99,9 | 7±0,5 | 300 | 300 | 300 | 100 | 100 | 200 | 50 | 500 |
Embalaje objetivo de pulverización catódica de níquel vanadio
Nuestro objetivo de pulverización catódica de níquel vanadio está claramente etiquetado y etiquetado externamente para garantizar una identificación y un control de calidad eficientes. Se tiene mucho cuidado para evitar cualquier daño que pueda causarse durante el almacenamiento o transporte.
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