Polisilicio estas grava ŝprucaĵa celmaterialo. Uzante magnetronan sputtering-metodon por prepari SiO2 kaj aliajn maldikajn filmojn povas igi la matrican materialon havi pli bonan optikan, dielektran kaj korodan reziston, kiu estas vaste uzata en tuŝekrano, optikaj kaj aliaj industrioj.
La procezo de fandado de longaj kristaloj estas realigi la direktan solidiĝon de likva silicio de la malsupro ĝis la supro iom post iom per precize kontrolado de la temperaturo de la hejtilo en la varma kampo de la ingota forno kaj la varmo disipado de la termoizola materialo, kaj la solidiĝo longaj kristaloj rapideco estas 0,8 ~ 1,2 cm/h. Samtempe, en la procezo de direkta solidiĝo, la apartiga efiko de metalaj elementoj en siliciaj materialoj povas esti realigita, la plej multaj el la metalaj elementoj povas esti purigitaj, kaj unuforma polikristalina silicia grajna strukturo povas esti formita.
Gisanta polisilicio ankaŭ devas esti intencite dopita en la produktadprocezo, por ŝanĝi la koncentriĝon de akceptantaj malpuraĵoj en la silicia fandado. La ĉefa dopanto de p-tipa gisita polisilicio en la industrio estas silicia boro-majstra alojo, en kiu la borenhavo estas ĉirkaŭ 0,025%. La dopa kvanto estas determinita per la celrezistiveco de la silicioblato. La optimuma resistiveco estas 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, kaj la responda borkoncentriĝo estas ĉirkaŭ 2 × 1014cm-3。 Tamen, la apartiga koeficiento de boro en silicio estas 0,8, kio montros certan apartiga efiko en la direkta solidiĝoprocezo, tio estas, la boro-elemento estas distribuita en gradiento en la vertikala direkto de la ingoto, kaj la resistiveco iom post iom malpliiĝas de la fundo al la supro de la ingoto.
Afiŝtempo: Jul-26-2022