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Unterschiede zwischen Aufdampfbeschichtung und Sputterbeschichtung

Wie wir alle wissen, sind die bei der Vakuumbeschichtung üblicherweise verwendeten Methoden Vakuumtranspiration und Ionensputtern. Was ist der Unterschied zwischen Transpirationsbeschichtung und Sputterbeschichtung? VieleMenschen habe solche Fragen. Lassen Sie uns den Unterschied zwischen Transpirationsbeschichtung und Sputterbeschichtung mit Ihnen teilen

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Bei einem Vakuumtranspirationsfilm werden die zu transpirierenden Daten mittels Widerstandsheizung oder Elektronenstrahl- und Laserbeschuss in einer Umgebung mit einem Vakuumgrad von mindestens 10-2Pa auf eine feste Temperatur erhitzt, so dass die thermische Schwingungsenergie von Molekülen bzw Die Bindungsenergie der Atome in den Daten übersteigt die Bindungsenergie der Oberfläche, so dass viele Moleküle oder Atome transpirieren oder sich vermehren und sie direkt auf dem Substrat ablagern, um einen Film zu bilden. Bei der Ionensputterbeschichtung wird die hohe Remonstranzbewegung positiver Ionen, die durch Gasentladung unter der Wirkung eines elektrischen Felds erzeugt werden, genutzt, um das Target als Kathode zu bombardieren, sodass die Atome oder Moleküle im Target entweichen und sich auf der Oberfläche des plattierten Werkstücks ablagern, um sich zu bilden den benötigten Film.

Die am häufigsten verwendete Methode der Vakuumtranspirationsbeschichtung ist die Widerstandserwärmung. Seine Vorteile sind der einfache Aufbau der Heizquelle, niedrige Kosten und eine bequeme Bedienung. Der Nachteil besteht darin, dass es nicht für hochschmelzende Metalle und hochtemperaturbeständige Medien geeignet ist. Elektronenstrahlerwärmung und Lasererwärmung können die Nachteile der Widerstandserwärmung überwinden. Bei der Elektronenstrahlerwärmung wird der fokussierte Elektronenstrahl verwendet, um die umhüllten Daten direkt zu erhitzen, und die kinetische Energie des Elektronenstrahls wird in Wärmeenergie umgewandelt, um die Daten zu transpirieren. Beim Laserheizen wird ein Hochleistungslaser als Heizquelle verwendet. Aufgrund der hohen Kosten eines Hochleistungslasers kann dieser jedoch nur in einer kleinen Anzahl von Forschungslabors eingesetzt werden.

Die Sputterfähigkeit unterscheidet sich von der Vakuumtranspirationsfähigkeit. Unter Sputtern versteht man das Phänomen, dass geladene Teilchen zurück auf die Oberfläche (Ziel) des Körpers schießen, sodass feste Atome oder Moleküle von der Oberfläche emittiert werden. Die meisten emittierten Teilchen sind atomare Teilchen, die oft als gesputterte Atome bezeichnet werden. Zerstäubte Partikel, die zum Beschuss von Zielen verwendet werden, können Elektronen, Ionen oder neutrale Partikel sein. Da Ionen unter einem elektrischen Feld leicht die erforderliche kinetische Energie erhalten, werden Ionen meist als Hüllenpartikel ausgewählt.

Der Sputterprozess basiert auf einer Glimmentladung, das heißt, die Sputterionen stammen aus einer Gasentladung. Unterschiedliche Sputterfähigkeiten erfordern unterschiedliche Glimmentladungsmethoden. Beim DC-Diodensputtern kommt eine DC-Glimmentladung zum Einsatz; Beim Triodensputtern handelt es sich um eine durch eine Glühkathode unterstützte Glimmentladung; Beim HF-Sputtern kommt eine HF-Glimmentladung zum Einsatz; Beim Magnetronsputtern handelt es sich um eine Glimmentladung, die durch ein ringförmiges Magnetfeld gesteuert wird.

Im Vergleich zur Vakuumtranspirationsbeschichtung hat die Sputterbeschichtung viele Vorteile. Wenn irgendeine Substanz zerstäubt werden kann, insbesondere Elemente und Verbindungen mit hohem Schmelzpunkt und niedrigem Dampfdruck; Die Haftung zwischen gesputtertem Film und Substrat ist gut; Hohe Filmdichte; Die Filmdicke kann kontrolliert werden und die Wiederholbarkeit ist gut. Der Nachteil besteht darin, dass die Ausrüstung komplex ist und Hochspannungsgeräte erfordert.

Darüber hinaus handelt es sich bei der Kombination aus Transpirationsverfahren und Sputterverfahren um die Ionenplattierung. Die Vorteile dieser Methode sind eine starke Haftung zwischen Film und Substrat, eine hohe Abscheidungsrate und eine hohe Dichte des Films.


Zeitpunkt der Veröffentlichung: 09.05.2022