Polysilicium er et vigtigt sputtermålmateriale. Brug af magnetronforstøvningsmetode til at forberede SiO2 og andre tynde film kan få matrixmaterialet til at have bedre optisk, dielektrisk og korrosionsbestandighed, som er meget udbredt i berøringsskærme, optiske og andre industrier.
Processen med at støbe lange krystaller er at realisere den retningsbestemte størkning af flydende silicium fra bunden til toppen gradvist ved nøjagtigt at kontrollere temperaturen på varmelegemet i det varme felt af barreovnen og varmeafledningen af det termiske isoleringsmateriale, og Størkningshastigheden for lange krystaller er 0,8 ~ 1,2 cm/t. Samtidig, i processen med retningsbestemt størkning, kan adskillelseseffekten af metalelementer i siliciummaterialer realiseres, de fleste metalelementer kan renses, og en ensartet polykrystallinsk siliciumkornstruktur kan dannes.
Støbning af polysilicium skal også bevidst doteres i produktionsprocessen for at ændre koncentrationen af acceptorurenheder i siliciumsmelten. Hoveddotering af p-type støbt polysilicium i industrien er siliciumbor masterlegering, hvor borindholdet er omkring 0,025%. Dopingmængden bestemmes af siliciumwaferens målresistivitet. Den optimale resistivitet er 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, og den tilsvarende borkoncentration er ca. 2 × 1014 cm-3。 Imidlertid er segregationskoefficienten for bor i silicium 0,8, hvilket vil vise en vis segregationseffekt i den retningsbestemte størkningsproces, dvs. er, at borelementet er fordelt i en gradient i lodret retning af barren, og resistiviteten gradvist falder fra bunden til toppen af barren.
Indlægstid: 26-jul-2022