Pezzi di siliciru di tungstenu

U siliciu di tungstenu WSi2 hè adupratu cum'è materiale di scossa elettrica in microelettronica, shunting in fili di polisilicu, revestimentu anti-ossidazione è revestimentu di filu di resistenza. U siliciu di tungstenu hè adupratu com'è materiale di cuntattu in a microelettronica, cù una resistività di 60-80μΩcm. Hè furmatu à 1000 ° C. Hè generalmente usatu cum'è un shunt per e linee di polysilicon per aumentà a so conduttività è aumentà a velocità di u signale. U stratu di siliciru di tungstenu pò esse preparatu da a deposizione chimica di vapore, cum'è a deposizione di vapore. Aduprà monosilane o dichlorosilane è hexafluorure di tungstenu cum'è gas di materia prima. U film dipositu ùn hè micca stechiometricu è richiede l'annealing per esse trasfurmatu in una forma stechiometrica più conduttiva.

U siliciu di tungstenu pò rimpiazzà a prima film di tungstenu. U siliciu di tungstenu hè ancu usatu cum'è una capa di barrera trà u siliciu è altri metalli.

U siliciu di tungstenu hè ancu assai preziosu in i sistemi microelectromechanical, trà i quali u silicidu di tungstenu hè principalmente utilizatu com'è una film fina per a fabricazione di microcircuiti. Per questu scopu, a film di siliciu di tungstenu pò esse incisa in plasma cù, per esempiu, siliciur.

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