A film fina nantu à a mira rivestita hè una forma di materiale speciale. In a direzzione specifica di u grossu, a scala hè assai chjuca, chì hè una quantità misurabile microscòpica. Inoltre, per via di l'apparizione è l'interfaccia di u spessore di film, a continuità materiale finisce, chì face chì i dati di u filmu è i dati di destinazione anu diverse proprietà cumuni. E u mira hè principarmenti l'usu di magnetron sputtering coating, l'editore di Beijing Richmat hà da piglià à capisce. u principiu è e cumpetenze di sputtering coating.
一、Principiu di u revestimentu sputtering
Sputtering abilità di rivestimentu hè di utilizà l'aspettu di destinazione di sbucciatura di ioni, l'atomi di destinazione sò colpiti da u fenomenu cunnisciutu cum'è sputtering. L'atomi dipositu nantu à a superficia di u sustrato sò chjamati sputtering coating.Generally, l'ionizazione di gasu hè prodotta da una scarica di gasu, è l'ioni pusitivi bombast u target cathode à alta velocità sottu à l'azzione di u campu elettricu, chjappà l'atomi o molécule di u target cathode, è vola à a superficia di u sustrato per esse dipositu in un film.Simply parlante, sputtering coating usa bassu gasu inerte di pressione. scarica per generà ioni.
In generale, l'attrezzatura di placcatura di film sputtering hè dotata di dui elettrodi in una camera di scaricamentu di vacuum, è u target di catodu hè cumpostu di dati di rivestimentu. A camera di vacuum hè piena di gas argon cù una pressione di 0.1 ~ 10Pa. A scarica di Glow si trova à u cathode sottu l'azzione di alta tensione negativa di 1 ~ 3kV dc o rf voltage di 13.56mhz.Ioni Argon bombardeanu a superficia di destinazione è causanu l'atomi di mira sputtered per accumulà nantu à u sustrato.
二、Caratteristiche di capacità di rivestimentu di sputtering
1 、 Velocità di stacking veloce
A diffarenza trà l'elettrodu di sputtering magnetron d'alta velocità è l'elettrodu sputtering tradiziunale in dui stadi hè chì u magnetu hè dispostu sottu à u mira, cusì u campu magneticu irregolare chjusu si trova nantu à a superficia di u target。A forza di lorentz nantu à l'elettroni hè versu u centru. di u campu magneticu eterogeneu. A causa di l'effettu di focu, l'elettroni scappanu menu. U campu magneticu eterogeneu gira intornu à a superficia di destinazione, è l'elettroni secondari catturati in u campu magneticu eterogeneu scontranu ripetutamente cù e molécule di gas, chì migliurà l'alta rata di cunversione di e molecule di gas. pò ottene una grande efficienza di revestimentu, cù caratteristiche di scaricamentu ideali.
2、A temperatura di u sustrato hè bassu
Sputtering magnetron ad alta velocità, cunnisciutu ancu sputtering à bassa temperatura. U mutivu hè chì u dispusitivu usa scarichi in un spaziu di campi elettromagnetichi chì sò dritti à l'altri. L'elettroni secundarii chì si trovanu à l'esternu di u mira, in l'altri. Sutta l'azzione di un campu elettromagneticu drittu, hè ligatu vicinu à a superficia di u mira è si move longu a pista in una linea di rotazione circular, battendu ripetutamente contru à e molécule di gas per ionizà e molécule di gas. bumps ripetuti, finu à chì a so energia hè quasi completamente persa prima di pudè scappà da a superficia di u mira vicinu à u sustrato. Perchè l'energia di l'elettroni hè cusì bassa, a temperatura di u mira ùn hè micca troppu altu. Hè abbastanza per contru à l'aumentu di a temperatura di u sustrato causatu da u bumbardamentu elettronicu d'alta energia di un colpu di diodu ordinariu, chì cumpleta a criogenizazione.
3 、 Una larga gamma di strutture di membrana
A struttura di i filmi sottili ottenuti da l'evaporazione in vacuum è a deposizione d'iniezione hè assai sfarente da quella ottenuta da a diluzione di solidi in massa. In cuntrastu à i solidi generalmente esistenti, chì sò classificati cum'è essenzialmente a listessa struttura in trè dimensioni, i filmi dipositati in a fase di gasu sò classificati com'è strutture heterogenee. I filmi sottili sò colonnari è ponu esse investigati da a microscopia elettronica di scanning. A crescita di colonna di a film hè causata da a superficia cunvexa originale di u sustrato è uni pochi d'ombra in i parti prominenti di u sustrato. Tuttavia, a forma è a dimensione di a colonna sò assai diffirenti per via di a temperatura di u sustrato, a dispersione di a superficia di l'atomi impilati, a sepultura di l'atomi di impurità è l'Angle incidente di l'atomi incidenti relative à a superficia di u substratu. In u intervallu di temperatura eccessivu, a film fina hà una struttura fibruosa, d'alta densità, composta di cristalli columnar fini, chì hè a struttura unica di a film sputtering.
A pressione di sputtering è a velocità di stacking di film affettanu ancu a struttura di a film. Perchè e molécule di gasu anu l'effettu di suppressione a dispersione di l'atomi nantu à a superficia di u sustrato, l'effettu di a pressione di sputtering alta hè adattatu per a caduta di a temperatura di u sustrato in u mudellu. Dunque, i filmi porosi chì cuntenenu grani fini ponu esse ottenuti à alta pressione di sputtering. Questa pellicola di piccula grana hè adattata per a lubricazione, a resistenza à l'usura, l'indurimentu di a superficia è altre applicazioni meccaniche.
4 、 Organizà a cumpusizioni uniformemente
Cumposti, mischii, leghe, etc., chì sò adattati difficiuli di esse rivestiti da l'evaporazione di vacuum perchè e pressioni di vapore di i cumpunenti sò diffirenti o perchè si differenzianu quandu si riscaldanu. U metudu di revestimentu di sputtering hè di fà u stratu di superficia di destinazione di l'atomi strata per strata. à u sustrato, in questu sensu hè una capacità di fà film più perfetta. Ogni tipu di materiali ponu esse aduprati in a produzzione di rivestimenti industriali per sputtering.
Tempu di Postu: Apr-29-2022