Parechje utilizatori deve avè intesu parlà di u pruduttu di sputtering target, ma u principiu di sputtering target deve esse relativamente scunnisciutu. Avà, l'editore diMateriale Speciale Riccu (RSM) sparte i principii di magnetron sputtering di sputtering target.
Un campu magneticu ortogonale è un campu elettricu sò aghjuntu trà l'elettrodu di destinazione sputtered (catodu) è l'anodu, u gas inerte necessariu (in generale gas Ar) hè pienu in a camera di vacuum altu, u magnetu permanente forma un campu magneticu 250 ~ 350 Gauss a superficia di i dati di destinazione, è u campu elettromagneticu ortogonale hè furmatu cù u campu elettricu d'alta tensione.
Sutta l'effettu di u campu elettricu, u gasu Ar hè ionizatu in ioni pusitivi è elettroni. Un certu altu voltage negativu hè aghjuntu à u mira. L'effettu di u campu magneticu nantu à l'elettroni emessi da u polu di destinazione è a probabilità di ionizazione di u gasu di travagliu aumentanu, furmendu un plasma d'alta densità vicinu à u catodu. Sutta l'effettu di a forza di Lorentz, l'ioni Ar acceleranu à a superficia di destinazione è bombardeanu a superficia di destinazione à una velocità assai alta, L'atomi sputtered nantu à u mira seguitanu u principiu di cunversione di u momentu è vola luntanu da a superficia di destinazione à u sustrato cù una energia cinetica alta. per deposità i filmi.
A sputtering Magnetron hè generalmente divisa in dui tipi: sputtering tributariu è RF sputtering. U principiu di l'equipaggiu di sputtering tributariu hè simplice, è u so ritmu hè ancu veloce quandu sputtering metal. U sputtering RF hè largamente utilizatu. In più di sputtering materiali cunduttivi, pò ancu sputter materiali non-conductive. À u listessu tempu, cunduce ancu sputtering reattivu per preparà materiali di ossidi, nitruri, carburi è altri composti. Se a frequenza RF hè aumentata, diventerà una sputtering di plasma à microonde. Avà, a risonanza di ciclotroni elettronici (ECR) sputtering plasma microonde hè cumunimenti usatu.
Tempu di Post: 31-May-2022