Comu tutti sapemu, i metudi cumunimenti utilizati in u vacuum coating sò a transpirazione di vacuum è a sputtering ion. Chì ghjè a diffarenza trà u revestimentu di transpirazione è u revestimentu sputtering Manyghjente avè tali dumande. Spartemu cun voi a diffarenza trà u revestimentu di traspirazione è u revestimentu di sputtering
A film di traspirazione di vacuum hè di riscalda i dati per esse transpirazione à una temperatura fissa per mezu di riscaldamentu di resistenza o fasciu d'elettroni è sbucciatura laser in un ambiente cù un gradu di vacuum di micca menu di 10-2Pa, cusì chì l'energia di vibrazione termale di molécule o atomi in i dati supira l 'energia ubligatoriu di a superficia, tantu ca tanti mulèculi o atomi transpiration o cresce, è direttamente li dipositu nant'à u sustrato à furmà un film. U revestimentu di sputtering di ioni utilizeghja u muvimentu elevatu di remonstrance di ioni pusitivi generati da a scarica di gas sottu à l'effettu di u campu elettricu per bombardà l'obiettivu cum'è u catodu, in modu chì l'atomi o molécule in u scopu scappanu è si depositanu nantu à a superficia di a pezza placcata per furmà. u filmu necessariu.
U metudu più cumunimenti utilizatu di u revestimentu di traspirazione di vacuum hè u metudu di riscaldamentu di resistenza. I so vantaghji sò a struttura simplice di a fonte di riscaldamentu, u prezzu bassu è u funziunamentu convenientu. I so disadvantages sò chì ùn hè micca adattatu per metalli refrattarii è media resistenti à alta temperatura. Riscaldamentu di fasciu elettroni è riscaldamentu laser ponu superà i svantaghji di u riscaldamentu di resistenza. In u riscaldamentu di u fasciu di l'elettroni, u fasciu di l'elettroni cuncintratu hè adupratu per scaldà direttamente i dati sgusciati, è l'energia cinetica di u fasciu di l'elettroni diventa energia di calore per fà a transpirazione di dati. Riscaldamentu Laser usa laser high-putere comu la surghjente di riscaldamentu, ma a causa di u altu costu di laser high-putere, si pò ièssiri usatu solu in un picculu numeru di laboratori di ricerca.
L'abilità di sputtering hè sfarente da l'abilità di traspirazione di vacuum. U sputtering si riferisce à u fenomenu chì i particeddi carchi bombardanu à a superficia (target) di u corpu, cusì chì l'atomi solidi o molécule sò emessi da a superficia. A maiò parte di i particeddi emessi sò atomichi, chì sò spessu chjamati atomi sputtered. Particelle sputtered aduprate per i miri di sbucciatura ponu esse elettroni, ioni o particeddi neutri. Perchè l'ioni sò faciuli d'ottene l'energia cinetica necessaria sottu u campu elettricu, l'ioni sò soprattuttu scelti cum'è particelle di sbucciatura.
U prucessu di sputtering hè basatu annantu à a scarica di luce, vale à dì, i ioni di sputtering venenu da a scarica di gas. Diverse cumpetenze di sputtering anu metudi diffirenti di scaricamentu luminoso. DC diode sputtering usa DC glow discharge; Triode sputtering hè una scarica luminescente supportata da un catodu caldu; A sputtering RF usa una scarica di luce RF; Magnetron sputtering hè una scarica luminosa cuntrullata da un campu magneticu anulare.
In cunfrontu cù u revestimentu di traspirazione di vacuum, u revestimentu sputtering hà assai vantaghji. Se qualsiasi sustanza pò esse sputtered, in particulare elementi è cumposti cù un altu puntu di fusione è una pressione di vapore bassa; L'aderenza trà u film sputtered è u sustrato hè bona; alta densità di film; U gruixu di film pò esse cuntrullatu è a ripetibilità hè bona. U svantaghju hè chì l'attrezzatura hè cumplessu è richiede apparecchi d'alta tensione.
Inoltre, a cumminazione di u metudu di transpirazione è u metudu di sputtering hè a placazione di ioni. I vantaghji di stu metudu sò una forte aderenza trà a film è u sustrato, una alta densità di a film è una alta densità.
Tempu di post: May-09-2022