Differenza trà u target di l'electroplating è u sputtering target

Cù a migliione di i standard di vita di e persone è u sviluppu cuntinuu di a scienza è a tecnulugia, a ghjente hà esigenze più altu è più altu per a prestazione di prudutti di rivestimentu di decorazione resistente à l'usura, a corrosione è resistente à a temperatura alta. Di sicuru, u revestimentu pò ancu embellisce u culore di questi ogetti. Allora, chì hè a diffarenza trà u trattamentu di u mira di l'electroplating è u sputtering target? Lasciate chì l'esperti di u Dipartimentu di Tecnulugia di RSM vi spiegà per voi.

　　Obiettivu di galvanica

U principiu di l'electroplating hè coherente cù quellu di a raffinazione elettrolitica di ramu. Quandu l'electroplating, l'elettrolitu chì cuntene i ioni metallichi di a strata di plating hè generalmente utilizatu per preparà a suluzione di plating; Immergendu u pruduttu metallicu per esse placcatu in a suluzione di plating è cunnetta cù l'elettrodu negativu di l'alimentazione DC cum'è u catodu; U metallu rivestitu hè adupratu cum'è anodu è cunnessu à l'elettrodu pusitivu di l'alimentazione DC. Quandu u currente DC di bassa tensione hè appiicatu, u metale di l'anodu si dissolve in a suluzione è diventa un cationu è si move à u cathode. Questi ioni uttene l'elettroni à u catodu è sò ridotti à u metallu, chì hè cupartu nantu à i prudutti di metalli per esse placcati.

　　Sputtering Target

U principiu hè principarmenti d'utilizà a scarica incandescente per bombardà l'ioni d'argon nantu à a superficia di destinazione, è l'atomi di u mira sò espulsi è dipositati nantu à a superficia di u sustrato per furmà una film fina. I pruprietà è l'uniformità di i filmi sputtered sò megliu cà quelli di i filmi dipositati di vapore, ma a velocità di deposizione hè assai più lenta di quella di i filmi dipositati di vapore. L'equipaggiu di sputtering novu usa quasi magneti forti à l'elettroni spirali per accelerà l'ionizazione di l'argon intornu à u mira, chì aumenta a probabilità di scontru trà l'obiettivu è l'ioni di argon è migliurà a rata di sputtering. A maiò parte di i filmi di placcatura di metalli sò sputtering DC, mentre chì i materiali magnetichi ceramichi non-conduttivi sò RF AC sputtering. U principiu di basa hè di utilizà a scarica di glow in vacuum per bombardà a superficia di u mira cù ioni argon. I cationi in u plasma acceleranu per affruntà à a superficia di l'elettrodu negativu cum'è u materiale sputtered. Stu bumbardamentu farà chì u materiale di destinazione vola fora è dipositu nantu à u sustrato per furmà una film fina.

　　Criteriu di selezzione di materiali di destinazione

(1) U mira deve avè una bona forza meccanica è stabilità chimica dopu a furmazione di film;

(2) U materiale di film per a film di sputtering reattivu deve esse faciule fà un film cumpostu cù u gasu di reazione;

(3) A mira è u sustrato deve esse assemblatu fermamente, altrimenti, u materiale di film cù una bona forza di ubligatoriu cù u sustrato deve esse aduttatu, è un filmu di fondu deve esse sputtered prima, è dopu a capa di film necessariu deve esse preparatu;

(4) In u premiu di scuntrà i requisiti di rendiment di u filmu, più chjuca hè a diffarenza trà u coefficient di espansione termale di u target è u sustrato, u megliu, per riduce l'influenza di u stress termicu di a film sputtered;

(5) Sicondu l'applicazioni è e prestazioni di u filmu, u scopu utilizatu deve risponde à i requisiti tecnichi di purezza, impurità, uniformità di cumpunenti, precisione di machining, etc.