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Prospettiva di sviluppu di mira di rame di alta purezza

Attualmente, quasi tutti i miri di ramu di metallu di purità ultra-alta high-end richiesti da l'industria IC sò monopolizati da parechji grandi multinaziunali stranieri. Tutti i miri di ramu ultrapuru necessariu da l'industria IC domestica anu da esse impurtati, chì ùn hè micca solu caru, ma ancu cumplicatu in i prucedure d'impurtazione Per quessa, a Cina hà urgentemente bisognu di migliurà u sviluppu è a verificazione di i miri di sputtering di ramu di purezza ultra-alta (6N). . Fighjemu un ochju à i punti chjave è e difficultà in u sviluppu di obiettivi di sputtering di rame ultra-alta purezza (6N).

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1Sviluppu di materiali ultra high purity

A tecnulugia di purificazione di metalli di alta purezza Cu, Al è Ta in Cina hè luntanu da quella in i paesi industriali sviluppati. Attualmente, a maiò parte di i metalli d'alta purezza chì ponu esse furniti ùn ponu micca risponde à i requisiti di qualità di i circuiti integrati per i miri di sputtering secondu i metudi di analisi di tutti l'elementi cunvinziunali in l'industria. U numaru d'inclusioni in u mira hè troppu altu o distribuitu in modu irregulare. I particeddi sò spessu furmati nantu à l'ostia durante a sputtering, risultatu in un cortu circuitu o un circuitu apertu di interconnessione, chì affetta seriamente u rendiment di a film.

2Sviluppu di tecnulugia di preparazione di mira di rame sputtering

U sviluppu di a tecnulugia di preparazione di u scopu di sputtering di ramu si concentra principalmente in trè aspetti: granulometria, cuntrollu di l'orientazione è uniformità. L'industria di i semiconduttori hà i più alti requisiti per i miri di sputtering è l'evaporazione di materie prime. Hà esigenze assai strette per u cuntrollu di a dimensione di granu di a superficia è l'orientazione di u cristallu di u mira. A dimensione di granu di u mira deve esse cuntrullata à 100μ M sottu, dunque, u cuntrollu di granu granu è i mezi di analisi correlation è dittizzioni sò assai impurtanti per u sviluppu di mira metalli.

3Sviluppu di analisi èprova tecnulugia

L'alta purezza di u mira significa a riduzzione di impurità. In u passatu, a spettrometria di plasma aduprata induttivamente (ICP) è di assorbimentu atomicu hè stata aduprata per determinà impurità, ma in l'ultimi anni, l'analisi di qualità di scarico luminoso (GDMS) cù una sensibilità più alta hè stata gradualmente aduprata cum'è standard. metudu. U metudu RRR di rapportu di resistenza residuale hè principalmente utilizatu per a determinazione di a purità elettrica. U so principiu di determinazione hè di valutà a purità di u metallu di base, misurà u gradu di dispersione elettronica di impurità. Perchè hè di misurà a resistenza à a temperatura di l'ambienti è a temperatura assai bassa, hè simplice per piglià u numeru. In l'ultimi anni, per scopre l'essenza di metalli, a ricerca nantu à a purità ultra-alta hè assai attiva. In questu casu, u valore RRR hè u megliu modu per evaluà a purezza.


Tempu di post: May-06-2022