Unsa ang target sa polysilicon

Ang polysilicon usa ka importante nga sputtering target nga materyal. Ang paggamit sa magnetron sputtering nga pamaagi sa pag-andam sa SiO2 ug uban pang nipis nga mga pelikula makahimo sa matrix nga materyal nga adunay mas maayo nga optical, dielectric ug corrosion resistance, nga kaylap nga gigamit sa touch screen, optical ug uban pang mga industriya.

Ang proseso sa paghulma og taas nga mga kristal mao ang pagkaamgo sa direksyon nga solidification sa liquid silicon gikan sa ubos ngadto sa ibabaw sa hinay-hinay pinaagi sa tukma nga pagkontrolar sa temperatura sa heater sa init nga kapatagan sa ingot furnace ug ang kainit pagkawagtang sa thermal insulation nga materyal, ug ang solidification taas nga kristal speed mao ang 0.8 ~ 1.2cm/h. Sa parehas nga oras, sa proseso sa pagpalig-on sa direksyon, ang epekto sa paglainlain sa mga elemento sa metal sa mga materyales sa silikon mahimong matuman, kadaghanan sa mga elemento sa metal mahimong maputli, ug ang usa ka uniporme nga polycrystalline silicon nga istruktura sa lugas mahimong maporma.

Ang paghulma sa polysilicon kinahanglan usab nga tinuyo nga doped sa proseso sa produksiyon, aron mabag-o ang konsentrasyon sa mga hugaw sa acceptor sa pagtunaw sa silicon. Ang nag-unang dopant sa p-type nga cast polysilicon sa industriya mao ang silicon boron master alloy, diin ang boron content maoy mga 0.025%. Ang kantidad sa doping gitino pinaagi sa target nga resistivity sa silicon wafer. Ang kamalaumon nga resistivity mao ang 0.02 ~ 0.05 Ω • cm, ug ang katugbang nga boron konsentrasyon mao ang mahitungod sa 2 × 1014cm-3。 Apan, ang segregation coefficient sa boron sa silicon mao ang 0.8, nga magpakita sa usa ka piho nga segregation epekto sa direksyon solidification proseso, nga mao, ang boron nga elemento giapod-apod sa usa ka gradient sa bertikal nga direksyon sa ingot, ug ang resistivity anam-anam nga mikunhod gikan sa ubos ngadto sa ibabaw sa ingot.