La pel·lícula fina de l'objectiu recobert té una forma de material especial. En la direcció específica del gruix, l'escala és molt petita, que és una quantitat mesurable microscòpica. A més, a causa de l'aparença i la interfície del gruix de la pel·lícula, la continuïtat del material s'acaba, la qual cosa fa que les dades de la pel·lícula i les dades de l'objectiu tinguin diferents propietats comunes. I l'objectiu és principalment l'ús de recobriment de polverització de magnetrons, l'editor de Beijing Richmat ens portarà a entendre el principi i les habilitats del recobriment per polverització.
一、Principi del recobriment per polverització
L'habilitat de recobriment de polsador és utilitzar l'aspecte de l'objectiu de bombardeig d'ions, els àtoms objectiu són afectats pel fenomen conegut com a pols. Els àtoms dipositats a la superfície del substrat s'anomenen revestiment de pulverització. Generalment, la ionització de gas es produeix per descàrrega de gas i els ions positius bombegen l'objectiu del càtode a gran velocitat sota l'acció del camp elèctric, eliminant els àtoms o molècules del objectiu del càtode i volar a la superfície del substrat per dipositar-lo en una pel·lícula. Simplement parlant, el recobriment de pulverització utilitza una resplendor de gas inert a baixa pressió descàrrega per generar ions.
En general, l'equip de revestiment de pel·lícula de pulverització està equipat amb dos elèctrodes en una cambra de descàrrega al buit i l'objectiu del càtode es compon de dades de recobriment. La cambra de buit s'omple amb gas argó amb una pressió de 0,1 ~ 10 Pa. La descàrrega de resplendor es produeix al càtode sota l'acció d'una alta tensió negativa d'1 ~ 3 kV dc o una tensió RF de 13,56 mhz. Els ions d'argó bombardegen la superfície de l'objectiu i fan que els àtoms objectiu s'acumulin al substrat.
二、Característiques de les habilitats del recobriment de pulverització
1 、 Velocitat d'apilament ràpida
La diferència entre l'elèctrode de pulverització de magnetró d'alta velocitat i l'elèctrode de pulverització tradicional de dues etapes és que l'imant està disposat per sota de l'objectiu, de manera que el camp magnètic desigual tancat es produeix a la superfície de l'objectiu。La força de lorentz sobre els electrons és cap al centre. del camp magnètic heterogeni. A causa de l'efecte d'enfocament, els electrons s'escapen menys. El camp magnètic heterogeni recorre la superfície objectiu i els electrons secundaris capturats en el camp magnètic heterogeni xoquen amb les molècules de gas repetidament, la qual cosa millora l'alta taxa de conversió de les molècules de gas. pot obtenir una gran eficiència de recobriment, amb característiques de descàrrega ideals.
2, la temperatura del substrat és baixa
Sputtering de magnetrons d'alta velocitat, també conegut com sputtering a baixa temperatura. El motiu és que el dispositiu utilitza descàrregues en un espai de camps electromagnètics que es troben directament entre si. Els electrons secundaris que es troben a l'exterior de l'objectiu, els uns en els altres. Sota l'acció d'un camp electromagnètic recte, s'uneix prop de la superfície de l'objectiu i es mou al llarg de la pista en una línia circular circular, colpejant repetidament contra les molècules de gas per ionitzar les molècules de gas. Junts, els mateixos electrons perden gradualment la seva energia, a través de cops repetits, fins que la seva energia es perd gairebé completament abans que puguin escapar de la superfície de l'objectiu a prop del substrat. Com que l'energia dels electrons és tan baixa, la temperatura de l'objectiu no augmenta massa. Això és suficient per contrarestar l'augment de la temperatura del substrat causat pel bombardeig d'electrons d'alta energia d'un tir de díode normal, que completa la criogenització.
3, una àmplia gamma d'estructures de membrana
L'estructura de les pel·lícules primes obtingudes per evaporació al buit i deposició per injecció és força diferent de la que s'obté per aprimament de sòlids a granel. En contrast amb els sòlids generalment existents, que es classifiquen essencialment com la mateixa estructura en tres dimensions, les pel·lícules dipositades en fase gasosa es classifiquen com a estructures heterogènies. Les pel·lícules primes són columnars i es poden investigar mitjançant microscòpia electrònica d'escaneig. El creixement columnar de la pel·lícula és causat per la superfície convexa original del substrat i unes quantes ombres a les parts prominents del substrat. Tanmateix, la forma i la mida de la columna són força diferents a causa de la temperatura del substrat, la dispersió superficial dels àtoms apilats, l'enterrament d'àtoms d'impuresa i l'angle incident dels àtoms incidents respecte a la superfície del substrat. En el rang de temperatures excessiu, la pel·lícula prima té una estructura fibrosa, d'alta densitat, composta per cristalls columnars fins, que és l'estructura única de la pel·lícula de pulverització.
La pressió de pulverització i la velocitat d'apilament de la pel·lícula també afecten l'estructura de la pel·lícula. Com que les molècules de gas tenen l'efecte de suprimir la dispersió d'àtoms a la superfície del substrat, l'efecte de l'alta pressió de pulverització és adequat per a la caiguda de la temperatura del substrat en el model. Per tant, es poden obtenir pel·lícules poroses que contenen grans fins a alta pressió de polver. Aquesta pel·lícula de mida petita de gra és adequada per a la lubricació, la resistència al desgast, l'enduriment de la superfície i altres aplicacions mecàniques.
4, Organitzeu la composició de manera uniforme
Compostos, mescles, aliatges, etc., que són adequadament difícils de recobrir per evaporació al buit perquè les pressions de vapor dels components són diferents o perquè es diferencien quan s'escalfen. El mètode de recobriment per pulverització consisteix a fer capa per capa la superfície objectiu d'àtoms. al substrat, en aquest sentit és una capacitat de realització cinematogràfica més perfecta. Es poden utilitzar tot tipus de materials en la producció de recobriments industrials mitjançant sputtering.
Hora de publicació: 29-abril-2022