Actualment, la fotònica basada en silici es considera la plataforma fotònica de nova generació per a comunicacions integrades. Tanmateix, el desenvolupament de moduladors òptics compactes i de baixa potència continua sent un repte. Aquí informem d'un efecte electro-òptic gegant en pous quàntics acoblats Ge/SiGe. Aquest efecte prometedor es basa en l'efecte Stark quàntic anòmal a causa del confinament separat d'electrons i forats en pous quàntics Ge/SiGe acoblats. Aquest fenomen es pot utilitzar per millorar significativament el rendiment dels moduladors de llum en comparació amb els enfocaments estàndard desenvolupats fins ara en fotònica de silici. Hem mesurat canvis en l'índex de refracció fins a 2,3 × 10-3 a una tensió de polarització d'1,5 V amb una eficiència de modulació corresponent VπLπ de 0,046 Vcm. Aquesta demostració obre el camí per al desenvolupament de moduladors de fase eficients d'alta velocitat basats en sistemes de materials Ge/SiGe.
Hora de publicació: juny-06-2023