Aplicació de Semiconductor Chip Sputtering Target

Rich Special Material Co., Ltd. pot produir objectius de sputtering d'alumini d'alta puresa, objectius de sputtering de coure, objectius de sputtering de tàntal, objectius de sputtering de titani, etc. per a la indústria dels semiconductors.

Els xips de semiconductors tenen requisits tècnics elevats i preus elevats per a objectius de pulverització. Els seus requisits per a la puresa i la tecnologia dels objectius de pulverització són més alts que els de les pantalles de pantalla plana, cèl·lules solars i altres aplicacions. Els xips semiconductors estableixen estàndards extremadament estrictes sobre la puresa i la microestructura interna dels objectius de pulverització. Si el contingut d'impureses de l'objectiu de sputtering és massa alt, la pel·lícula formada no pot complir les propietats elèctriques requerides. En el procés de pulverització, és fàcil formar partícules a l'hòstia, donant lloc a curtcircuits o danys al circuit, cosa que afecta greument el rendiment de la pel·lícula. En termes generals, es requereix l'objectiu de pulverització de puresa més alta per a la fabricació de xips, que sol ser del 99,9995% (5N5) o superior.

Els objectius de pulverització s'utilitzen per a la fabricació de capes de barrera i capes de cablejat metàl·lic d'embalatge. En el procés de fabricació d'hòsties, l'objectiu s'utilitza principalment per fer la capa conductora, la capa de barrera i la graella metàl·lica de l'hòstia. En el procés d'embalatge d'encenalls, l'objectiu de pulverització s'utilitza per generar capes metàl·liques, capes de cablejat i altres materials metàl·lics sota els cops. Tot i que la quantitat de materials objectiu utilitzats en la fabricació d'hòsties i l'envasament de xips és petita, segons les estadístiques de SEMI, el cost dels materials objectiu en el procés de fabricació i embalatge d'hòsties representa al voltant del 3%. No obstant això, la qualitat de l'objectiu de pulverització afecta directament la uniformitat i el rendiment de la capa conductora i la capa de barrera, afectant així la velocitat de transmissió i l'estabilitat del xip. Per tant, l'objectiu de pulverització és una de les matèries primeres bàsiques per a la producció de semiconductors