С подобряването на стандарта на живот на хората и непрекъснатото развитие на науката и технологиите, хората имат все по-високи изисквания за производителността на устойчиви на износване, корозия и устойчиви на висока температура декоративни покрития. Разбира се, покритието може да разкраси и цвета на тези предмети. Тогава, каква е разликата между обработката на мишена за галванопластика и мишена за разпрашаване? Нека експертите от технологичния отдел на RSM ви обяснят.
Мишена за галванично покритие
Принципът на галванопластиката е в съответствие с този на електролитното рафиниране на мед. При галванопластика, електролитът, съдържащ металните йони на покриващия слой, обикновено се използва за приготвяне на разтвора за покритие; Потапяне на металния продукт, който ще бъде покрит, в разтвора за покритие и свързването му с отрицателния електрод на захранването с постоянен ток като катод; Покритият метал се използва като анод и се свързва към положителния електрод на DC захранването. Когато се приложи постоянен ток с ниско напрежение, анодният метал се разтваря в разтвора и се превръща в катион и се придвижва към катода. Тези йони получават електрони на катода и се редуцират до метал, който се покрива върху металните продукти, които ще бъдат покрити.
Разпръскваща цел
Принципът е основно да се използва тлеещ разряд за бомбардиране на аргонови йони върху целевата повърхност, а атомите на целта се изхвърлят и отлагат върху повърхността на субстрата, за да образуват тънък филм. Свойствата и еднородността на разпръснатите филми са по-добри от тези на парно отложените филми, но скоростта на отлагане е много по-бавна от тази на парно отложените филми. Новото оборудване за разпрашаване почти използва силни магнити за спираловидни електрони, за да ускори йонизацията на аргон около мишената, което увеличава вероятността от сблъсък между мишената и аргоновите йони и подобрява скоростта на разпрашаване. Повечето от филмите за метално покритие са разпрашени с постоянен ток, докато непроводимите керамични магнитни материали са разпрашени с RF AC. Основният принцип е да се използва тлеещ разряд във вакуум за бомбардиране на повърхността на целта с аргонови йони. Катионите в плазмата ще се ускорят, за да се втурнат към повърхността на отрицателния електрод като разпръснатия материал. Това бомбардиране ще накара целевия материал да излети и да се отложи върху субстрата, за да образува тънък филм.
Критерии за избор на целеви материали
(1) Мишената трябва да има добра механична якост и химическа стабилност след образуване на филм;
(2) Филмовият материал за реактивния разпръскващ филм трябва лесно да образува съставен филм с реакционния газ;
(3) Целта и субстратът трябва да бъдат здраво сглобени, в противен случай трябва да се приеме филмовият материал с добра сила на свързване със субстрата и първо да се разпръсне долен филм и след това да се подготви необходимия филмов слой;
(4) Предпоставката за изпълнение на изискванията за ефективност на филма, колкото по-малка е разликата между коефициента на топлинно разширение на целта и субстрата, толкова по-добре, така че да се намали влиянието на топлинния стрес на разпръснатия филм;
(5) Съгласно изискванията за приложение и ефективност на филма, използваната цел трябва да отговаря на техническите изисквания за чистота, съдържание на примеси, еднородност на компонентите, точност на обработка и др.
Време на публикуване: 12 август 2022 г