Silikon əsaslı fotonika hazırda daxili rabitə üçün növbəti nəsil fotonik platforma hesab olunur. Bununla belə, yığcam və aşağı güclü optik modulyatorların hazırlanması problem olaraq qalır. Burada biz Ge/SiGe birləşdirilmiş kvant quyularında nəhəng elektro-optik effekti bildiririk. Bu perspektivli effekt birləşdirilmiş Ge/SiGe kvant quyularında elektronların və dəliklərin ayrı-ayrılıqda tutulması səbəbindən anomal kvant Stark effektinə əsaslanır. Bu fenomen silisium fotonikasında indiyə qədər hazırlanmış standart yanaşmalarla müqayisədə işıq modulyatorlarının işini əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırmaq üçün istifadə edilə bilər. Biz 0,046 Vcm uyğun modulyasiya səmərəliliyi VπLπ ilə 1,5 V əyilmə gərginliyində 2,3 × 10-3-ə qədər qırılma indeksindəki dəyişiklikləri ölçdük. Bu nümayiş Ge/SiGe material sistemləri əsasında səmərəli yüksək sürətli faza modulyatorlarının inkişafı üçün yol açır.
Göndərmə vaxtı: 06 iyun 2023-cü il