Baie gebruikers het seker gehoor van die produk van sputterteiken, maar die beginsel van sputterteiken behoort relatief onbekend te wees. Nou, die redakteur vanRyk spesiale materiaal (RSM) deel die magnetron-sputtering-beginsels van sputtering-teiken.
'n Ortogonale magnetiese veld en elektriese veld word tussen die gesputterde teikenelektrode (katode) en die anode bygevoeg, die vereiste inerte gas (gewoonlik Ar-gas) word in die hoë vakuumkamer gevul, die permanente magneet vorm 'n 250 ~ 350 Gauss magnetiese veld op die oppervlak van die teikendata, en die ortogonale elektromagnetiese veld word gevorm met die hoëspanning elektriese veld.
Onder die effek van elektriese veld word Ar-gas in positiewe ione en elektrone geïoniseer. 'n Sekere negatiewe hoë spanning word by die teiken gevoeg. Die effek van magnetiese veld op elektrone wat deur die teikenpool uitgestraal word en die ionisasiewaarskynlikheid van werkende gas neem toe, wat 'n hoëdigtheidplasma naby die katode vorm. Onder die effek van Lorentz-krag versnel Ar-ione na die teikenoppervlak en bombardeer die teikenoppervlak teen 'n baie hoë spoed. Die gesputterde atome op die teiken volg die momentumomskakelingsbeginsel en vlieg weg van die teikenoppervlak na die substraat met hoë kinetiese energie films te deponeer.
Magnetron-sputtering word oor die algemeen in twee tipes verdeel: Sytaksputtering en RF-sputtering. Die beginsel van sytaksputtertoerusting is eenvoudig, en die tempo daarvan is ook vinnig wanneer metaal gesputter word. RF-sputtering word wyd gebruik. Benewens die sputtering van geleidende materiale, kan dit ook nie-geleidende materiale sputter. Terselfdertyd voer dit ook reaktiewe sputtering uit om materiale van oksiede, nitriede, karbiede en ander verbindings voor te berei. As die RF-frekwensie verhoog word, sal dit mikrogolfplasma-sputtering word. Nou word elektronsiklotronresonansie (ECR) mikrogolfplasma-sputtering algemeen gebruik.
Postyd: Mei-31-2022